Analyse von kompliziert aufgebauten Gefügen

Zusammenfassung Bei praktischen Materialuntersuchungen findet man nur selten die einfachen Kontrastfälle vor, die berechenbar sind. Vielmehr überlagern sich häufig die Kontrasterscheinungen des perfekten Kristalls (Kap. 4) mit denen, die durch örtliche Verzerrungen und Änderung der Streuamplitude hervorgerufen werden (Kap. 5–7), in komplizierter Weise. Bei der Behandlung der Phasengemische (Kap. 8) haben wir schon Beispiele dafür in Phasengemischen mit teil- und nicht-kohärenten Grenzflächen kennengelernt. Die beste Voraussetzung zur Analyse komplizierter Gefüge ist eine gute Kenntnis der einfachen Kontrastmechanismen. Man kann dann durch Anwendung bestimmter Abbildungskriterien die Bilder “zerlegen„, d. h. immer nur eine der sich im allgemeinen Abbildungsfall überlagernden Kontrasterscheinungen herbeiführen. Die nützlichsten Hilfsmittel dazu sind die Auslöschungsbedingungen $$ \overline{g} \cdot \Delta \overline{r} = 0, \overline{g} \cdot \overline{b} = 0,\overline{g} \cdot \overline{p} = 0$$ und die Dunkelfeldmethode. Aus der Fülle der Anwendungsmöglichkeiten soll lediglich an einigen Beispielen gezeigt werden, wie komplizierter aufgebaute Gefüge untersucht werden können, und wie die Durchstrahlungs-Elektronenmikroskopie zur Untersuchung des Aufbaus von Werkstoffen angewandt werden kann.