IDEAS home Printed from https://ideas.repec.org/a/bjw/techvi/v17y2022i2p104-111.html
   My bibliography  Save this article

Nâng cao hệ số công suất nhiệt điện của vật liệu bán dẫn loại p Mg3Sb2 thông qua đồng pha tạp hai nguyên tố Si và Fe

Author

Listed:
  • Mạc Trung Kiên

    (Trường Đại học Phenikaa, Yên Nghĩa, Hà Đông, Hà Nội Viện nghiên cứu và công nghệ Phenikaa, Yên Nghĩa, Hà Đông, Hà Nội, Việt Nam)

  • Tạ Thị Thu

    (Trường Đại học Phenikaa, Yên Nghĩa, Hà Đông, Hà Nội Viện nghiên cứu và công nghệ Phenikaa, Yên Nghĩa, Hà Đông, Hà Nội, Việt Nam)

  • Nguyễn Hữu Tuân

    (Trường Đại học Phenikaa, Yên Nghĩa, Hà Đông, Hà Nội Viện nghiên cứu và công nghệ Phenikaa, Yên Nghĩa, Hà Đông, Hà Nội, Việt Nam)

  • Trần Đăng Thành

    (Viện Khoa học vật liệu, Viện Hàn lâm Khoa học và công nghệ Việt Nam, Hà Nội, Việt Nam)

  • Dương Anh Tuấn

    (Trường Đại học Phenikaa, Yên Nghĩa, Hà Đông, Hà Nội Viện nghiên cứu và công nghệ Phenikaa, Yên Nghĩa, Hà Đông, Hà Nội, Việt Nam)

Abstract

Hợp chất Zinlt Mg3Sb2 được biết đến là bán dẫn loại p vùng cấm hẹp và được coi là vật liệu nhiệt điện mang những tính chất đầy hứa hẹn vì các nguyên tố không độc hại, thân thiện với môi trường và giá thành thấp. Trong nghiên cứu này, các hợp chất Mg3Sb2 pha tạp Si và đồng pha tạp Fe và Si được chế tạo thành công bằng phương pháp phản ứng pha rắn (kết hợp của nghiền bi năng lượng cao, ép nóng và nung thêu kết). Ảnh hưởng của việc pha tạp Si và đồng pha tạp Fe, Si vào Mg3Sb2 được khảo sát trong khoảng nhiệt độ từ 300 đến 673K. Các pha tạp chất xuất hiện trong các mẫu pha tạp được quan sát và phân tích thông qua phép đo nhiễu xạ tia X (XRD) và ảnh FE-SEM. Kết quả phân tích tính chất nhiệt điện cho thấy độ dẫn điện trong mẫu pha tạp Si được cải thiện gấp 02 lần trong khi mẫu đồng pha tạp Fe, Si, hệ số Seebeck được tăng cường đáng kể so với mẫu Mg3Sb2 không pha tạp. Giá trị hệ số công suất cao nhất cho mẫu Mg3Sb1.4Fe0.5Si0.1 đạt 1.8 μWcm-1K-2 ở 673K, gấp 2.2 lần so với mẫu không pha tạp.Hợp chất Zinlt Mg3Sb2 được biết đến là bán dẫn loại p vùng cấm hẹp và được coi là vật liệu nhiệt điện mang những tính chất đầy hứa hẹn vì các nguyên tố không độc hại, thân thiện với môi trường và giá thành thấp. Trong nghiên cứu này, các hợp chất Mg3Sb2 pha tạp Si và đồng pha tạp Fe và Si được chế tạo thành công bằng phương pháp phản ứng pha rắn (kết hợp của nghiền bi năng lượng cao, ép nóng và nung thêu kết). Ảnh hưởng của việc pha tạp Si và đồng pha tạp Fe, Si vào Mg3Sb2 được khảo sát trong khoảng nhiệt độ từ 300 đến 673K. Các pha tạp chất xuất hiện trong các mẫu pha tạp được quan sát và phân tích thông qua phép đo nhiễu xạ tia X (XRD) và ảnh FE-SEM. Kết quả phân tích tính chất nhiệt điện cho thấy độ dẫn điện trong mẫu pha tạp Si được cải thiện gấp 02 lần trong khi mẫu đồng pha tạp Fe, Si, hệ số Seebeck được tăng cường đáng kể so với mẫu Mg3Sb2 không pha tạp. Giá trị hệ số công suất cao nhất cho mẫu Mg3Sb1.4Fe0.5Si0.1 đạt 1.8 μWcm-1K-2 ở 673K, gấp 2.2 lần so với mẫu không pha tạp.

Suggested Citation

  • Mạc Trung Kiên & Tạ Thị Thu & Nguyễn Hữu Tuân & Trần Đăng Thành & Dương Anh Tuấn, 2022. "Nâng cao hệ số công suất nhiệt điện của vật liệu bán dẫn loại p Mg3Sb2 thông qua đồng pha tạp hai nguyên tố Si và Fe," TẠP CHÍ KHOA HỌC ĐẠI HỌC MỞ THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH - KỸ THUẬT VÀ CÔNG NGHỆ, HO CHI MINH CITY OPEN UNIVERSITY JOURNAL OF SCIENCE, HO CHI MINH CITY OPEN UNIVERSITY, vol. 17(2), pages 104-111.
    • Handle: RePEc:bjw:techvi:v:17:y:2022:i:2:p:104-111
    DOI: 10.46223/HCMCOUJS.tech.vi.17.2.2290.2022
    as

    Download full text from publisher

    File URL: https://journalofscience.ou.edu.vn/index.php/tech-vi/article/view/2290/1738
    Download Restriction: no
    File URL: https://libkey.io/10.46223/HCMCOUJS.tech.vi.17.2.2290.2022?utm_source=ideas
    LibKey link: if access is restricted and if your library uses this service, LibKey will redirect you to where you can use your library subscription to access this item
    ---><---

    Corrections

    All material on this site has been provided by the respective publishers and authors. You can help correct errors and omissions. When requesting a correction, please mention this item's handle: RePEc:bjw:techvi:v:17:y:2022:i:2:p:104-111. See general information about how to correct material in RePEc.

    If you have authored this item and are not yet registered with RePEc, we encourage you to do it here. This allows to link your profile to this item. It also allows you to accept potential citations to this item that we are uncertain about.

    We have no bibliographic references for this item. You can help adding them by using this form .

    If you know of missing items citing this one, you can help us creating those links by adding the relevant references in the same way as above, for each refering item. If you are a registered author of this item, you may also want to check the "citations" tab in your RePEc Author Service profile, as there may be some citations waiting for confirmation.

    For technical questions regarding this item, or to correct its authors, title, abstract, bibliographic or download information, contact: Vu Tuan Truong (email available below). General contact details of provider: https://journalofscience.ou.edu.vn/index.php/tech-vi .

    Please note that corrections may take a couple of weeks to filter through the various RePEc services.

    IDEAS is a RePEc service. RePEc uses bibliographic data supplied by the respective publishers.